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  Infineon英飛凌IRHMS67260抗輻射功率MOSFET 2024-04-10 09:53:17

  IRHMS67260是一款抗輻射的N溝道MOSFET，額定電壓200V，電流45A，采用R6 TO-254AA封裝，具有低導通電阻、快速開關、抵御單粒子效應能力等特點。廣泛應用于DC-DC轉換器、電力推進和電機驅動領域，在高輻射環境下表現穩定可靠。已有更優產品JANSR2N7584T1推出。

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  Statek SWCX4V/SWCX4石英晶體 2024-10-30 09:23:55

  Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶體專為抗輻射應用設計，采用高溫電掃工藝的培養石英，能耐受超過100 krad的輻射劑量，保持頻率穩定。特點包括高沖擊電阻、超高可靠性、客戶定制設計、低老化率、嚴格的無塵室生產工藝，適用于軍用和航天級應用，如衛星系統、太空探索任務和深空探測器。